BUK9520-100B,127
![](/img-new/pdf.png)
BUK9520-100B,127 datasheet
-
МаркировкаBUK9520-100B,127
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors BUK9520-100B,127 Configuration: Single Continuous Drain Current: 63 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 63A Drain To Source Voltage (vdss): 100V Drain-source Breakdown Voltage: 100 V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 53.4nC @ 5V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 15 V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 5657pF @ 25V Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Power - Max: 203W Power Dissipation: 203 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 25A, 10V Resistance Drain-source Rds (on): 20 mOhms Series: TrenchMOS?„? Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 2V @ 1mA RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 15 V Resistance Drain-Source RDS (on): 20 mOhms Factory Pack Quantity: 50 Other Names: 568-5227
-
Количество страниц12 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p> <p>На текущий момент наблюдается активный рост рынка промышленной автоматизации. Внедряются все новые инновационные технологии машинного обучения (ML) и роботизированные системы. Встроенные решения с четкой детерминированной связью крайне актуальны для приложений промышленной автоматизации для управления, контроля, мониторинга и обработки данных.</p>](/images/cache/aeac000bf61ac666360adf9c7451dd8c.png)
10.06.2024
![<p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p> <p>В начале 2024 года (8 января) компания Onsemi представила на рынке линейку новых интегрированных модулей EliteSiC Power Integrated Modules (PIM). Девять модулей обеспечивают возможность двунаправленной зарядки для сверхбыстрых зарядных устройств постоянного тока для электромобилей (EV) и систем хранения энергии (ESS).</p>](/images/cache/c50c2531408230a0ca82da73d6f89f2b.png)
09.06.2024
![<p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p> <p>Компания Efficient Power Conversion (EPC) выпустила три новые оценочные платы на полевых транзисторах GaN, отвечающих требованиям стандарта AEC-Q101, демонстрирующих превосходную производительность в системах LIDAR.</p>](/images/cache/e9af8a61da4e6a2cdc233e14d3777562.png)
08.06.2024